CVD (Chemical Vapor Deposition)
• Large choix de matériaux (SiO₂, Si₃N₄, poly-Si)
• Dépôt uniforme sur grands substrats
• Épaisseurs nanométriques à micrométriques
• Procédés adaptés R&D et production
• Variantes multiples (LPCVD, PECVD, MOCVD)
Applications:
Semi CMOS, MEMS, photonique intégrée, revêtements protecteurs.
Description Solution:
La CVD repose sur des réactions chimiques en phase vapeur permettant de déposer des couches de matériaux variés. Elle est particulièrement adaptée au dépôt de couches épaisses et uniformes sur de grandes surfaces. Différentes variantes existent (LPCVD, PECVD, MOCVD) pour répondre à des besoins spécifiques de température, matériaux et rendement. Cette technologie est un pilier des procédés de fabrication en microélectronique et en photonique.
Spécifications:
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Épaisseur | 10 nm–10 µm |
| Uniformité | ±2 % |
| Température | 300–1100 °C |
| Wafers | 100–300 mm |
| Matériaux | SiO₂, Si₃N₄, poly-Si, SiC |