PECVD (Plasma Enhanced CVD)
• Dépôt à basse température (≤400 °C)
• Compatible avec substrats sensibles
• Large portefeuille de diélectriques
• Procédé rapide
• Adapté R&D et production
Applications:
Passivation CMOS, encapsulation MEMS, couches optiques, photovoltaïque.
Description Solution:
Le PECVD est une variante de la CVD qui utilise un plasma pour activer les réactions chimiques à plus basse température. Cela permet de déposer des couches minces sur des substrats sensibles à la chaleur, comme le verre ou certains polymères. La technologie PECVD est largement utilisée pour les diélectriques de passivation, l’encapsulation et les couches optiques. Elle offre un compromis idéal entre qualité de dépôt, vitesse et compatibilité matériaux.
Spécifications:
Épaisseur: 50 nm–5 µm
Uniformité: ±2 %
Température: 150–400 °C
Wafers: 100–300 mm
Matériaux: SiO₂, Si₃N₄, a‑Si:H, DLC.