MOCVD (Metal Organic CVD)
• Dépôt de semi-conducteurs composés (III‑V, II‑VI)
• Uniformité et contrôle de haute précision
• Essentiel pour LEDs et lasers
• Compatible substrats divers (saphir, SiC, GaAs)
• Référence industrielle en optoélectronique
Applications:
LEDs, lasers, cellules solaires III‑V, HEMTs, optoélectronique.
Description Solution:
Le MOCVD est une variante de la CVD utilisant des précurseurs organométalliques pour déposer des semi-conducteurs composés. Cette technique est essentielle pour la fabrication des dispositifs optoélectroniques tels que LEDs, lasers et cellules solaires. Elle permet des dépôts très uniformes et contrôlés de matériaux III-V et II-VI sur des substrats variés. Le MOCVD est la technologie de référence pour l’industrie des semi-conducteurs composés.
Spécifications:
Épaisseur: 50 nm–10 µm
Uniformité: ±1 %
Température: 400–1100 °C
Substrats: saphir, SiC, GaAs, Ge
Matériaux: GaN, InP, GaAs, ZnSe.