Lithographie EUV (Extreme Ultraviolet)
• Résolution sub-10 nm
• Essentielle pour nœuds <7 nm
• Réduction des étapes de multipatterning
• Haute densité d’intégration
• Technologie de pointe pour l’électronique avancée
Applications:
CMOS avancés (nœuds 7 nm et au‑delà), processeurs, GPU hautes performances.
Description Solution:
La lithographie EUV utilise une longueur d’onde extrême ultraviolet (13,5 nm) pour atteindre des résolutions inférieures à 10 nm. Elle est aujourd’hui la technologie clé pour la fabrication des nœuds technologiques avancés (<7 nm). Sa mise en œuvre nécessite des systèmes optiques complexes et des sources lumineuses puissantes. Elle représente l'état de l'art en lithographie, réservée aux fabricants de pointe.
Spécifications:
Résolution: <10 nm
Source: EUV 13,5 nm
Wafers: 300 mm
Débit: ~125 wafers/heure.