Lithographie par faisceau d’électrons (EBL)

• Résolution <10 nm
• Grande flexibilité de motifs
• Adaptée R&D et prototypage
• Indispensable pour la nanofabrication
• Compatibilité avec substrats variés

Applications:

Nanotechnologies, photonique, MEMS, masques pour lithographie.

Description Solution:

L’EBL est une technique de lithographie directe utilisant un faisceau d’électrons focalisé pour écrire des motifs sur une résine. Elle permet d’atteindre des résolutions sub‑10 nm, idéales pour la recherche et le prototypage. Bien que lente et coûteuse pour la production de masse, elle est incontournable pour la nano‑fabrication et les dispositifs de pointe. Elle est largement utilisée dans les laboratoires et centres de recherche en nanotechnologies.

Spécifications:

Résolution: <10 nm
Vitesse: faible (écriture séquentielle)
Wafers: 100–200 mm
Outils: EBL à balayage.

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