Gravure plasma (RIE – Reactive Ion Etching)
• Haute précision et contrôle nanométrique
• Compatible avec nombreux matériaux
• Profils anisotropes nets
• Adaptée à la production CMOS
• Grande flexibilité procédés
Applications:
CMOS, MEMS, photonique, circuits intégrés avancés.
Description Solution:
La gravure plasma RIE combine une attaque chimique et physique par plasma pour sculpter des motifs précis dans les couches minces. Cette technique est largement utilisée en microélectronique pour obtenir des profils anisotropes avec un contrôle nanométrique. Elle permet de traiter une grande variété de matériaux, incluant les oxydes, nitrures et métaux. RIE reste l’une des méthodes les plus flexibles et incontournables pour la fabrication de dispositifs semi‑conducteurs.
Spécifications:
Résolution: <50 nm
Wafers: 100–300 mm
Uniformité: ±2 %
Gaz: Cl₂, SF₆, CHF₃, O₂.