Gravure ionique (IBE – Ion Beam Etching)
• Gravure directionnelle précise
• Faible contamination chimique
• Adaptée matériaux difficiles
• Résultats reproductibles
• Applications spécialisées
Applications:
Optoélectronique, magnétisme, R&D, couches minces spécialisées.
Description Solution:
La gravure ionique utilise un faisceau d’ions énergétiques pour retirer de la matière de manière physique. Elle permet une gravure directionnelle avec un excellent contrôle, bien qu’avec des taux relativement lents. Cette méthode est employée pour les applications nécessitant une grande précision de profil et une faible contamination chimique. Elle est utilisée en R&D, optoélectronique et fabrication de dispositifs magnétiques.
Spécifications:
Résolution: <50 nm
Taux: lent (1–10 nm/min)
Substrats: 100–200 mm
Énergie ions: 100 eV–1 keV.