Recuit rapide (RTA – Rapid Thermal Annealing)
• Chauffage ultra‑rapide
• Activation efficace des dopants
• Diffusion minimale
• Adaptée aux nœuds avancés
• Haute répétabilité
Applications:
CMOS, MEMS, optoélectronique, logique avancée.
Description Solution:
Le recuit thermique rapide consiste à chauffer les wafers à haute température (jusqu’à 1200°C) pendant quelques secondes seulement. Cette technique permet d’activer les dopants tout en limitant la diffusion. Elle est essentielle dans la microélectronique avancée où la précision de profil dopant est critique. Le RTA est une étape standard dans les procédés CMOS modernes.
Spécifications:
Température: jusqu’à 1200°C
Durée: 1–60 s
Wafers: 200–300 mm
Atmosphères: N₂, Ar, O₂.