Traitement laser thermique (LTA – Laser Thermal Annealing)
• Chauffage sélectif ultra‑rapide
• Pas de diffusion en profondeur
• Adapté aux structures 3D
• Activation efficace
• Technologie émergente
Applications:
FinFET, GAA, CMOS avancés, R&D nanostructures.
Description Solution:
Le traitement laser thermique consiste à chauffer localement la surface du wafer avec un laser haute énergie. Cela permet une activation ultra‑rapide des dopants sans affecter les couches profondes. Il est particulièrement adapté aux architectures avancées comme FinFET et GAA. Le LTA est une technologie émergente mais stratégique pour les procédés de pointe.
Spécifications:
Température: >1300°C localement
Durée: ns–µs
Wafers: 300 mm
Sources: excimère, Nd:YAG.