Nettoyage par plasma (Dry Clean)
• Élimination efficace des polymères
• Procédé sec, sans solvants
• Compatible wafers 200–300 mm
• Faible consommation chimique
• Excellente répétabilité
Applications:
Post‑lithographie, élimination résidus, préparation de surface.
Description Solution:
Le nettoyage plasma repose sur l’utilisation d’un plasma réactif (O₂, CF₄, H₂) pour retirer des résidus organiques et films minces. Cette méthode sèche est particulièrement utile après lithographie et gravure. Elle réduit la contamination particulaire et améliore l’adhérence des couches suivantes. C’est une alternative ou un complément aux nettoyages chimiques humides.
Spécifications:
Gaz: O₂, CF₄, H₂
Wafers: 100–300 mm
Température: <200 °C
Uniformité: ±3 %.