Slurry CMP pour cuivre
Slurry formulé pour la planarisation des interconnexions cuivre en CMP. Optimisé pour un taux d’enlèvement élevé et une faible dishing/erosion. Additifs sélectionnés pour une sélectivité Cu/TA/TaN contrôlée et une bonne…
Slurry CMP pour oxydes (TEOS/SiO₂)
Slurry à base de silice colloïdale pour planariser les diélectriques (STI, ILD). Formulé pour une excellente uniformité intra‑wafer et wafer‑to‑wafer. Contrôle fin de la sélectivité SiO₂/Si₃N₄ pour éviter les phénomènes…
Pads de polissage CMP (polyuréthane)
Pads en polyuréthane type IC1000/Suba IV assurant l’abrasion contrôlée et la distribution homogène du slurry. Structure microporeuse optimisée pour l’évacuation des débris et la stabilité du contact. Disponibles en duretés…
Conditionneurs de pad (disques diamant)
Disques diamantés pour retexturer la surface du pad et stabiliser le taux d’enlèvement. Grain et concentration optimisés pour limiter la variabilité et la génération de défauts. Conçus pour une usure…
Bagues de retenue (retaining rings)
Bagues de retenue en PEEK/Alumine assurant le centrage et la pression uniforme du wafer pendant le polissage. Profil de contact optimisé pour minimiser l’edge‑roll‑off et améliorer l’uniformité. Résistance chimique et…