Cible de cuivre pour PVD
Les cibles de cuivre haute pureté sont utilisées dans les systèmes de dépôt physique en phase vapeur (PVD) pour la métallisation des interconnexions. Elles garantissent une excellente uniformité du film…
Dépôt – Cibles & Précurseurs
Cible d’aluminium pour PVD
Les cibles d’aluminium sont utilisées dans les procédés de PVD pour la réalisation de couches métalliques de contact. Elles offrent une grande stabilité chimique et une excellente uniformité de surface.…
Précurseur ALD – Triméthylaluminium (TMA)
Le TMA est un précurseur chimique essentiel dans les procédés de dépôt en couches atomiques (ALD). Il est principalement utilisé pour la croissance de films d’oxyde d’aluminium (Al₂O₃) de haute…
Précurseur CVD – Silane (SiH₄)
Le silane est l’un des principaux gaz précurseurs utilisés dans les procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD). Il permet la croissance de couches de silicium amorphe ou polycristallin.…
Précurseur CVD – Tétraéthoxysilane (TEOS)
Le TEOS est un liquide volatil utilisé comme source de silicium dans les procédés de dépôt CVD et PECVD. Il est largement adopté pour la croissance de couches d’oxyde de…