Les équipements de nettoyage par voie humide utilisent des bains chimiques pour éliminer les particules, métaux et contaminants organiques. Ils constituent l’une des étapes fondamentales de la préparation de surface…
Le nettoyage plasma repose sur l’utilisation d’un plasma réactif (O₂, CF₄, H₂) pour retirer des résidus organiques et films minces. Cette méthode sèche est particulièrement utile après lithographie et gravure.…
Le mégason utilise des ondes ultrasonores à haute fréquence (≈1 MHz) dans des bains chimiques pour détacher les particules sub‑100 nm. Il permet un nettoyage doux et efficace, évitant les…
Cette technique consiste à projeter des particules de glace carbonique (neige de CO₂) à haute vitesse sur la surface du wafer. Elle permet d’éliminer efficacement les particules sans chimie liquide.…
Les protocoles RCA (SC‑1 et SC‑2) sont des standards industriels pour le nettoyage des wafers silicium. SC‑1 élimine les particules et résidus organiques, tandis que SC‑2 élimine les métaux. Ces…
