ALD (Atomic Layer Deposition)
• Contrôle angstrom par cycle
• Uniformité parfaite sur 200 & 300 mm
• Compatible structures 3D complexes
• Large portefeuille matériaux
• Fiabilité éprouvée en production CMOS
Applications:
CMOS avancé, MEMS, photonique, énergie, revêtements barrière.
Description Solution:
L’ALD repose sur des réactions chimiques auto‑limitantes permettant de déposer des couches minces de manière contrôlée. Chaque cycle dépose une couche atomique, assurant une précision angstrom et une uniformité parfaite sur la totalité du substrat. Ce procédé se distingue par sa capacité unique à recouvrir des géométries 3D complexes, inaccessibles aux autres techniques de dépôt. Très utilisée en microélectronique avancée et en photonique, elle est devenue un standard incontournable pour les technologies de pointe.
Spécifications:
Épaisseur: 0,5–100 nm
Uniformité intra‑wafer: ±1 %
Température: 100–400 °C
Wafers: 100–300 mm
Matériaux: Al₂O₃, HfO₂, TiN, TaN, SiO₂, ZnO.