Gravure DRIE (Deep Reactive Ion Etching)
• Rapports d’aspect >20:1
• Profondeur de gravure élevée
• Parois quasi verticales
• Essentielle pour MEMS et TSV
• Procédé industriel mature
Applications:
MEMS, TSV (Through‑Silicon Via), capteurs, structures microfluidiques.
Description Solution:
La DRIE est une variante avancée de la gravure plasma permettant d’obtenir des tranchées profondes et anisotropes. Elle repose souvent sur le procédé Bosch, alternant gravure et passivation pour des rapports d’aspect élevés. DRIE est indispensable pour les MEMS, TSV et structures 3D complexes. Elle permet de réaliser des gravures profondes (plusieurs centaines de micromètres) tout en gardant des parois verticales.
Spécifications:
Profondeur: jusqu’à 500 µm
Aspect ratio: >20:1
Wafers: 100–300 mm
Gaz: SF₆, C₄F₈.