MOSFET PowerSwitch-M120
Le PowerSwitch-M120 est un transistor MOSFET de puissance à canal N, conçu pour offrir une commutation ultra-rapide, une faible résistance à l’état passant (Rds(on)) et une haute efficacité énergétique. Idéal pour les alimentations à découpage, les moteurs, les onduleurs et les circuits de commande de puissance, il garantit une dissipation thermique réduite et une fiabilité optimale même dans des conditions extrêmes.
| Caractéristique | Valeur |
|---|---|
| Type | MOSFET canal N |
| Tension drain-source (Vds max) | 120 V |
| Courant drain continu (Id max) | 60 A |
| Résistance à l’état passant (Rds(on)) | 8 mΩ |
| Tension de seuil (Vgs(th)) | 2 – 4 V |
| Charge de grille (Qg) | 45 nC |
| Fréquence de commutation | Jusqu’à 1 MHz |
| Puissance dissipée (Pd) | 150 W |
| Température de fonctionnement | -55 °C à +175 °C |
| Boîtier | TO-220 / D²PAK / SMD |