Précurseur ALD – Triméthylaluminium (TMA)
• Pureté chimique ultra-élevée
• Dépôts conformes et homogènes
• Large adoption industrielle
• Stabilité et fiabilité éprouvées
• Essentiel pour ALD Al₂O₃
Applications:
Dépôt ALD Al₂O₃, diélectriques de grille, passivation de surface.
Description Solution:
Le TMA est un précurseur chimique essentiel dans les procédés de dépôt en couches atomiques (ALD). Il est principalement utilisé pour la croissance de films d’oxyde d’aluminium (Al₂O₃) de haute qualité. Sa volatilité et sa pureté élevée garantissent des dépôts conformes et reproductibles. Il est stocké et manipulé sous atmosphère inerte pour assurer la sécurité et la stabilité.
Spécifications:
Formule : Al(CH₃)₃ ; Pureté : 99,999 % ; État : liquide pyrophorique ; Stockage : sous N₂/Ar.