Précurseur CVD – Silane (SiH₄)
• Précurseur standard de l’industrie
• Haute réactivité chimique
• Compatible procédés basse température
• Adapté dépôts amorphes et polycristallins
• Large disponibilité
Applications:
Dépôt CVD Si amorphe, Si polycristallin, photovoltaïque.
Description Solution:
Le silane est l’un des principaux gaz précurseurs utilisés dans les procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD). Il permet la croissance de couches de silicium amorphe ou polycristallin. Grâce à sa réactivité, il est adapté aux procédés basse température. Il est livré sous forme gazeuse et nécessite des précautions strictes de manipulation.
Spécifications:
Formule : SiH₄ ; Pureté : 99,999 % ; État : gaz ; Pression : conditionné en bouteilles pressurisées.