Précurseur CVD – Tétraéthoxysilane (TEOS)
• Manipulation plus sûre que le silane
• Uniformité de couche SiO₂ élevée
• Bonne stabilité chimique
• Large adoption industrielle
• Compatible PECVD
Applications:
Dépôt CVD/PECVD SiO₂, diélectriques de grille, passivation.
Description Solution:
Le TEOS est un liquide volatil utilisé comme source de silicium dans les procédés de dépôt CVD et PECVD. Il est largement adopté pour la croissance de couches d’oxyde de silicium (SiO₂) avec une bonne uniformité. Il offre une grande stabilité chimique et une manipulation simplifiée par rapport au silane. C’est un précurseur clé pour les diélectriques de grille et les couches isolantes.
Spécifications:
Formule : Si(OC₂H₅)₄ ; Pureté : 99,999 % ; État : liquide volatil ; Utilisation : CVD/PECVD.