Slurry CMP pour cuivre
• Taux d’enlèvement élevé et stable
• Faible dishing/erosion
• Excellente sélectivité Cu/liner
• Bonne stabilité colloïdale
• Compatible post‑nettoyage standard
Applications:
BEOL cuivre, interconnexions multi‑niveaux, nœuds avancés.
Description Solution:
Slurry formulé pour la planarisation des interconnexions cuivre en CMP. Optimisé pour un taux d’enlèvement élevé et une faible dishing/erosion. Additifs sélectionnés pour une sélectivité Cu/TA/TaN contrôlée et une bonne post‑cleanabilité. Conçu pour la stabilité en cuve et la constance lot à lot en production 200/300 mm.
Spécifications:
Solides: 3–10 % ; Taille particules: 50–150 nm ; pH: 2–6 ; Removal rate: 150–400 nm/min ; Sélectivité Cu/TaN: jusqu’à 5:1.