Slurry CMP pour oxydes (TEOS/SiO₂)
• Uniformité intra‑wafer élevée
• Sélectivité contrôlée SiO₂/Si₃N₄
• Faible taux de défauts
• Stabilité en stockage
• Compatible pads IC1000/Suba
Applications:
STI, ILD, planarisation diélectriques en logique et mémoire.
Description Solution:
Slurry à base de silice colloïdale pour planariser les diélectriques (STI, ILD). Formulé pour une excellente uniformité intra‑wafer et wafer‑to‑wafer. Contrôle fin de la sélectivité SiO₂/Si₃N₄ pour éviter les phénomènes de recess. Stabilité de longue durée en distribution centralisée (bulk delivery).
Spécifications:
Solides: 5–15 % ; Taille particules: 30–90 nm ; pH: 9–11 ; Removal rate: 80–250 nm/min ; Non‑volatiles: <0,1 %.